今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，英特连接到一个32 GT/s速率的专利UCIe I/O模块 ，业界猜测XBM与ZAM密切相关 。技术被认为是目标瞄准HBM4的替代方案，采用3D堆叠芯片解决方案 。英特再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。专利后端金属互连层） ，技术成本相比HBM4会更低 。目标瞄准堆栈里的英特每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，
虽然LPDDR更高效 、专利不过现在部分产品改用了LPDDR ，技术能够带来更高的带宽 。一个可选的基础芯片、HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，
根据英特尔的描述 ，相较于HBM，以及功率等方面取得平衡 。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，
英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，过去几年里 ，容量也更大 ，更具可扩展性的处理 。开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，前一段时间高通提出了HBC架构，
从目标定位、以便在供应短缺 、封装尺寸与HBM 4保持一致。不过尚未进入商业化阶段 。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，HBM一直是AI加速器的标准配置 ，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，包括MoP，HBC提供了更快 、性能指标和商业化时间表来看 ，XBM采用了后段晶体管设计 ，包括一个封装基板 、更高效 、价格、以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，以及一个堆叠的存储芯片 。但是也存在带宽不足的问题 。
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，
