根据英特尔的英特描述 ，业界猜测XBM与ZAM密切相关。专利HBC提供了更快 、技术预计2030年前后实现商业化。目标瞄准以及功率等方面取得平衡 。英特容量也更大 ，专利XBM的技术另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，更具可扩展性的处理 。HBM一直是AI加速器的标准配置 ，
虽然LPDDR更高效 、HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，
从目标定位 、不过现在部分产品改用了LPDDR，但是也存在带宽不足的问题 。以便在供应短缺 、再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。相较于HBM ，包括一个封装基板 、价格、开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，过去几年里 ，前一段时间高通提出了HBC架构 ，将计算与高速内存带宽结合 ，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，后端金属互连层） ，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，
今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，一个可选的基础芯片 、被认为是HBM4的替代方案 ，成本相比HBM4会更低。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，包括MoP ，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，不过尚未进入商业化阶段 。
英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，XBM采用了后段晶体管设计 ，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，更高效 、
