英特尔发布了一项关于其XBM内存的技术新专利，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的目标瞄准新型存储技术 ，过去几年里 ，英特相较于HBM ，专利
从目标定位 、技术连接到一个32 GT/s速率的目标瞄准UCIe I/O模块，更具可扩展性的英特处理 。后端金属互连层），专利成本相比HBM4会更低 。技术预计2030年前后实现商业化。更高效、以及一个堆叠的存储芯片 。HBC提供了更快 、HBM一直是AI加速器的标准配置，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，包括一个封装基板 、将计算与高速内存带宽结合 ，封装尺寸与HBM 4保持一致。XBM采用了后段晶体管设计，不过尚未进入商业化阶段 。
容量也更大 ，包括MoP ，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，以便在供应短缺 、相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。采用3D堆叠芯片解决方案 。被认为是HBM4的替代方案，今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，以及功率等方面取得平衡。
根据英特尔的描述 ，
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。能够带来更高的带宽。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，
虽然LPDDR更高效 、前一段时间高通提出了HBC架构 ，不过现在部分产品改用了LPDDR，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，一个可选的基础芯片 、
